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[quote="McDanielz"][b]Meine Frage:[/b] So Hallo erstmal! Beim studieren der Eigenschaften von Siliziumdioden bin ich auch folgende Problematik gestoßen: Die Raumladungszone bei einem pn-Übergang erzeugt ein elektrisches Feld. Dieses Feld ist von n nach p gerichtet. Jetzt möchte ich die Spannung an diesem pn-Übergang berechnen: [latex] U_{p n}=\int_p^n \! E \, dx [/latex] Wenn ich nun also die Diode in Durchlassrichtung betreibe, fällt also die Spannung Upn über der Diode ab. Jetzt ist das E-Feld aber entgegen der Flussrichtung und somit die Spannung(von p nach n) negativ. Das heißt, eigentlich müsste doch das Potential angehoben werden anstatt erniedrigt. Jetzt meine Frage, warum irre ich mich bzw was ist an meiner Überlegung falsch? Danke! [b]Meine Ideen:[/b] Ansatz siehe oben[/quote]
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<table border="0" cellpadding="3" cellspacing="1" width="100%" class="forumline"> <tr> <th class="thCornerL" width="22%" height="26">Autor</th> <th class="thCornerR">Nachricht</th> </tr> <tr> <td width="22%" align="left" valign="top" class="row1"><span class="name"><a name=""></a><b>McDanielz</b></span></td> <td class="row1" height="28" valign="top"><table width="95%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0"> <tr> <td width="95%"><img src="templates/subSilver/images/icon_minipost.gif" width="12" height="9" alt="Beitrag" title="Beitrag" border="0" /><span class="postdetails">Verfasst am: 13. Nov 2010 11:08<span class="gen"> </span> Titel: Spannungsabfall an einer Diode</span></td> </tr> <tr> <td colspan="2"><hr /></td> </tr> <tr> <td colspan="2"><span class="postbody"><span style="font-weight: bold">Meine Frage:</span><br />So Hallo erstmal!<br /><br />Beim studieren der Eigenschaften von Siliziumdioden bin ich auch folgende Problematik gestoßen:<br />Die Raumladungszone bei einem pn-Übergang erzeugt ein elektrisches Feld. Dieses Feld ist von n nach p gerichtet. Jetzt möchte ich die Spannung an diesem pn-Übergang berechnen:<br /><br /><br /><br /><img class="latex2png" src="https://www.matheboard.de/latex2png/latex2png.php? U_{p n}=\int_p^n \! E \, dx "><br /><br />Wenn ich nun also die Diode in Durchlassrichtung betreibe, fällt also die Spannung Upn über der Diode ab.<br />Jetzt ist das E-Feld aber entgegen der Flussrichtung und somit die Spannung(von p nach n) negativ. Das heißt, eigentlich müsste doch das Potential angehoben werden anstatt erniedrigt.<br /><br />Jetzt meine Frage, warum irre ich mich bzw was ist an meiner Überlegung falsch?<br /><br />Danke!<br /><br /><br /><br /><span style="font-weight: bold">Meine Ideen:</span><br />Ansatz siehe oben</span></td> </tr> </table></td> </tr> <tr> <td colspan="2" height="1" class="spaceRow"><img src="templates/subSilver/images/spacer.gif" alt="" width="1" height="1" /></td> </tr> </table>
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