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[quote="henry00"]Hallo zusammen Habe ein Verständlichkeitsproblem zum Feldeffekttransistor, wie zB MOSFET. Nehmen wir mal an, ich habe einen npn Transistor, also Source und Drain sind n dotiert, der Halbleiter dazwischen ist p dotiert. Nun heisst es ja, dass bei einer positiven Gatespannung die beweglichen Ladungsträger (also löcher) im p-Material nach unten gedrück werden, und zwischen source und drain ein n-channel entsteht, wo nun Elektronen fliessen können. Ich frage mich, wie dieser Elektronenfluss genau erzeugt wird. Denn, wenn die Löcher nach unten wandern, ist der obere bereich des p-halbleiters zwar negativ geladen, aber nur wegen den negativ geladenen atomrümpfen, welche fest im Gitter sitzen, und nicht wegen allfällig beweglichen Elektronen. Woher kommen also die plötzlich die beweglichen Elektronen, welchen den Stromfluss ermöglichen? Oder ist es so, dass weil im oberen bereich einfach alle Löcher (oder viele) verschwunden sind, die elektronen direkt von der Source passieren können, weil sie nicht mehr mit Löchern rekombinieren, und deshalb die bindungsenergie viel schwächer ist? ich hoffe jemand kann mir da helfen... besten dank[/quote]
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<table border="0" cellpadding="3" cellspacing="1" width="100%" class="forumline"> <tr> <th class="thCornerL" width="22%" height="26">Autor</th> <th class="thCornerR">Nachricht</th> </tr> <tr> <td width="22%" align="left" valign="top" class="row1"><span class="name"><a name=""></a><b>henry00</b></span></td> <td class="row1" height="28" valign="top"><table width="95%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0"> <tr> <td width="95%"><img src="templates/subSilver/images/icon_minipost.gif" width="12" height="9" alt="Beitrag" title="Beitrag" border="0" /><span class="postdetails">Verfasst am: 04. Apr 2011 20:58<span class="gen"> </span> Titel: Feldeffekttransistor</span></td> </tr> <tr> <td colspan="2"><hr /></td> </tr> <tr> <td colspan="2"><span class="postbody">Hallo zusammen <br />Habe ein Verständlichkeitsproblem zum Feldeffekttransistor, wie zB <br />MOSFET. <br /> <br />Nehmen wir mal an, ich habe einen npn Transistor, also Source und Drain <br /> sind n dotiert, der Halbleiter dazwischen ist p dotiert. Nun heisst es ja, <br />dass bei einer positiven Gatespannung die beweglichen Ladungsträger <br />(also löcher) im p-Material nach unten gedrück werden, und zwischen <br />source und drain ein n-channel entsteht, wo nun Elektronen fliessen <br />können. <br />Ich frage mich, wie dieser Elektronenfluss genau erzeugt wird. Denn, <br />wenn die Löcher nach unten wandern, ist der obere bereich des <br />p-halbleiters zwar negativ geladen, aber nur wegen den negativ <br />geladenen atomrümpfen, welche fest im Gitter sitzen, und nicht wegen <br />allfällig beweglichen Elektronen. <br />Woher kommen also die plötzlich die beweglichen Elektronen, welchen <br />den Stromfluss ermöglichen? Oder ist es so, dass weil im oberen bereich <br />einfach alle Löcher (oder viele) verschwunden sind, die elektronen direkt <br />von der Source passieren können, weil sie nicht mehr mit Löchern <br />rekombinieren, und deshalb die bindungsenergie viel schwächer ist? <br /> <br /> <br />ich hoffe jemand kann mir da helfen... <br />besten dank</span></td> </tr> </table></td> </tr> <tr> <td colspan="2" height="1" class="spaceRow"><img src="templates/subSilver/images/spacer.gif" alt="" width="1" height="1" /></td> </tr> </table>
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