Startseite
Forum
Fragen
Suchen
Formeleditor
Über Uns
Registrieren
Login
FAQ
Suchen
Foren-Übersicht
->
Elektrik
Antwort schreiben
Benutzername
(du bist
nicht
eingeloggt!)
Titel
Nachrichtentext
Smilies
Weitere Smilies ansehen
Schriftfarbe:
Standard
Dunkelrot
Rot
Orange
Braun
Gelb
Grün
Oliv
Cyan
Blau
Dunkelblau
Indigo
Violett
Weiß
Schwarz
Schriftgröße:
Schriftgröße
Winzig
Klein
Normal
Groß
Riesig
Tags schließen
Schreibt eure Formeln hier im Board am besten mit Latex!
So gehts:
Latex-Kurzbeschreibung
|
Formeleditor
[quote="Icewind"]Hi, Voraussetzung: Ich habe eine Probe aus Silizium, das mit Phosphor n-dotiert ist. Bei sehr kleinen Temperaturen sind nicht alle Phosphoratome ionisiert, sondern nur ein Teil. Ionisierungsenergie ist 48meV. Nun wird eine große Platte in die Nähe der Probe gebracht, an die negative Spannung angelegt wird. Das el. Feld dieser Platte soll Phosphoratome ionisieren, also die Elektronen wegdrücken. Frage: Wie berechnet man die Energie des el. Feldes in Abhängigkeit von Abstand r zur Si-Probe und von der Spannung U? Damit will ich berechnen, wie groß die Spannung sein muss, um ionisieren zu können. mfg[/quote]
Optionen
HTML ist
aus
BBCode
ist
an
Smilies sind
an
BBCode in diesem Beitrag deaktivieren
Smilies in diesem Beitrag deaktivieren
Spamschutz
Text aus Bild eingeben
Alle Zeiten sind GMT + 1 Stunde
Gehe zu:
Forum auswählen
Themenbereiche
----------------
Mechanik
Elektrik
Quantenphysik
Astronomie
Wärmelehre
Optik
Sonstiges
FAQ
Sonstiges
----------------
Off-Topic
Ankündigungen
Thema-Überblick
<table border="0" cellpadding="3" cellspacing="1" width="100%" class="forumline"> <tr> <th class="thCornerL" width="22%" height="26">Autor</th> <th class="thCornerR">Nachricht</th> </tr> <tr> <td width="22%" align="left" valign="top" class="row1"><span class="name"><a name=""></a><b>Icewind</b></span></td> <td class="row1" height="28" valign="top"><table width="95%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0"> <tr> <td width="95%"><img src="templates/subSilver/images/icon_minipost.gif" width="12" height="9" alt="Beitrag" title="Beitrag" border="0" /><span class="postdetails">Verfasst am: 27. Jul 2012 09:17<span class="gen"> </span> Titel: Ionisierung von Dotieratomen im Halbleiter</span></td> </tr> <tr> <td colspan="2"><hr /></td> </tr> <tr> <td colspan="2"><span class="postbody">Hi, <br /> <br />Voraussetzung: <br />Ich habe eine Probe aus Silizium, das mit Phosphor n-dotiert ist. Bei sehr kleinen Temperaturen sind nicht alle Phosphoratome ionisiert, sondern nur ein Teil. Ionisierungsenergie ist 48meV. <br />Nun wird eine große Platte in die Nähe der Probe gebracht, an die negative Spannung angelegt wird. Das el. Feld dieser Platte soll Phosphoratome ionisieren, also die Elektronen wegdrücken. <br /> <br />Frage: <br />Wie berechnet man die Energie des el. Feldes in Abhängigkeit von Abstand r zur Si-Probe und von der Spannung U? Damit will ich berechnen, wie groß die Spannung sein muss, um ionisieren zu können. <br /> <br />mfg</span></td> </tr> </table></td> </tr> <tr> <td colspan="2" height="1" class="spaceRow"><img src="templates/subSilver/images/spacer.gif" alt="" width="1" height="1" /></td> </tr> </table>
Registrieren
Login
FAQ
Suchen
