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[quote="thorsten33"]Ich habe versucht die Kapazität des gezeigten Mosfet in der gegebenen Beschaltung zu messen. Oft werden die Bereiche ja in Akkumulation, Depletion und Inversion unterteilt. Was ich mich frage: (1) geht der Mosfet überhaupt in Akkumulation? UG ist konstant ca 800mV, UBulk = GND, UD=US Für negative Werte von UGS ist UG viel negativer als UD oder US (z. B. UGS=-4V US =4.8V) aber UG ist immer noch positiv (UG = const = 770mV), heißt dass, da das Gate nicht negativ wird, das der Transistor nicht in Akkumulation gehen kann? (UG < UFB), da sich so keine Löcher unters Gate wandern? Würde das bedeuten, dass das Bild im linken Bereich falsch ist? Oder kommt es hier auf UGB an UGB = 770mV-0V = 770mV (2) Wenn das Bulk UB=UDrain=USource, dann gilt für den linken Bereich z. B. UGS=-4V UB US= 4.8V -> UGB= 770mV - 4.8 V UGB -> sehr negativ, würde der Mosfet dann in Akkumulation gehen?[/quote]
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<table border="0" cellpadding="3" cellspacing="1" width="100%" class="forumline"> <tr> <th class="thCornerL" width="22%" height="26">Autor</th> <th class="thCornerR">Nachricht</th> </tr> <tr> <td width="22%" align="left" valign="top" class="row1"><span class="name"><a name=""></a><b>thorsten33</b></span></td> <td class="row1" height="28" valign="top"><table width="95%" border="0" cellspacing="0" cellpadding="0"> <tr> <td width="95%"><img src="templates/subSilver/images/icon_minipost.gif" width="12" height="9" alt="Beitrag" title="Beitrag" border="0" /><span class="postdetails">Verfasst am: 24. Jun 2015 15:28<span class="gen"> </span> Titel: Verstädnisfrage MOSFET und Akkumulation</span></td> </tr> <tr> <td colspan="2"><hr /></td> </tr> <tr> <td colspan="2"><span class="postbody">Ich habe versucht die Kapazität des gezeigten Mosfet in der gegebenen Beschaltung zu messen. Oft werden die Bereiche ja in Akkumulation, Depletion und Inversion unterteilt. <br /> <br />Was ich mich frage: <br />(1) geht der Mosfet überhaupt in Akkumulation? UG ist konstant ca 800mV, <br />UBulk = GND, UD=US <br /> <br />Für negative Werte von UGS ist UG viel negativer als UD oder US (z. B. UGS=-4V US =4.8V) aber UG ist immer noch positiv (UG = const = 770mV), heißt dass, da das Gate nicht negativ wird, das der Transistor nicht in Akkumulation gehen kann? (UG < UFB), da sich so keine Löcher unters Gate wandern? Würde das bedeuten, dass das Bild im linken Bereich falsch ist? <br />Oder kommt es hier auf UGB an UGB = 770mV-0V = 770mV <br /> <br /> <br />(2) Wenn das Bulk UB=UDrain=USource, dann gilt für den linken Bereich z. B. UGS=-4V UB US= 4.8V -> UGB= 770mV - 4.8 V UGB -> sehr negativ, würde der Mosfet dann in Akkumulation gehen?</span></td> </tr> </table></td> </tr> <tr> <td colspan="2" height="1" class="spaceRow"><img src="templates/subSilver/images/spacer.gif" alt="" width="1" height="1" /></td> </tr> </table>
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