 Verfasst am: 05. März 2008 23:30 Titel: |
|||
| Magst du dir mal zum Vergleich eine Skizze hernehmen, in der ein ganz normaler Feldeffekt-Transistor gezeichnet ist?
Dann findest du am schnellsten die Ähnlichkeiten heraus, vor allem erkennst du dann Source, Drain und Gate in beiden Skizzen wieder. (Das sind die wichtigsten Komponenten eines solchen Transistors.)
Einverstanden. Und je nachdem, welches Potential man am Gate anlegt, wird der Kanal zwischen S und D leitend oder nichtleitend. Magst du dir das erstmal für normale FETs anschauen? Dafür brauchst du dann erstmal noch kein floating Gate und keine UV-Strahlung. Vielleicht findest du dabei ja folgende Links hilfreich: http://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0207011.htm |
|||
| Verfasst am: 05. März 2008 13:32 Titel: EPROM Speicherzelle - Feldeffekt Transistor |
|
| Hallo!
Ich habe leider wirklich nicht viel Ahnung von Physik und würde mich über jede Hilfe, die mir in diesem Board zu teil wird, freuen! Hier solls um eine EPROM Speicherzelle gehen, welche auch schematisch auf diesem Bild: http://www.virtualuniversity.ch/elektronik/digital/dvs/images/eprom.gif anzusehen ist. Da mir leider auch einfach das Hintergrundwissen zu Transistoren fehlt, verstehe ich das ganze leider nicht so ganz. Mir ist bereits unklar, wo sich in diesem Schaubild der Transistor an sich versteckt. Gehe ich richtig in der Annahme, dass an S und D die Leitungen angelegt werden? Dann soll das p-Substrat den Strom weiterleiten. Wenn man jetzt eine Spannung ans Steuergate und an Drain anlegt, kommen Elektronen aus dem p-Substrat und laden das Floating Gate auf. Irgendwie wird damit die Verbindung unterbrochen. Durch UV Strahlung kann man nun die Elektronen dazu bringen von Floating Gate zurück zu wandern... Das ist das, was ich mir bisher dazu denke. Ich hoffe jemand kennt sich damit aus, oder kann schon am Schaubild erkennen, was Sache ist! Vielen Dank!! |
|