 Verfasst am: 13. Nov 2010 11:08 Titel: Spannungsabfall an einer Diode |
|
| Meine Frage: So Hallo erstmal! Beim studieren der Eigenschaften von Siliziumdioden bin ich auch folgende Problematik gestoßen: Die Raumladungszone bei einem pn-Übergang erzeugt ein elektrisches Feld. Dieses Feld ist von n nach p gerichtet. Jetzt möchte ich die Spannung an diesem pn-Übergang berechnen: Wenn ich nun also die Diode in Durchlassrichtung betreibe, fällt also die Spannung Upn über der Diode ab. Jetzt ist das E-Feld aber entgegen der Flussrichtung und somit die Spannung(von p nach n) negativ. Das heißt, eigentlich müsste doch das Potential angehoben werden anstatt erniedrigt. Jetzt meine Frage, warum irre ich mich bzw was ist an meiner Überlegung falsch? Danke! Meine Ideen: Ansatz siehe oben |
|
