Physikerboard.de :: Thema-Überblick - elektrische Feld bei Halbleiterdiode (Raumladungen)

Lupoo · Verfasst am: 04. Jul 2011 17:27 Titel:

ja ok danke
die Formel haben wir zwar nicht gelernt, aber ich habs einigermaßen verstanden
Thumbs up!

GvC · Verfasst am: 04. Jul 2011 16:19 Titel:

(elektrische) Feldstärke E
(mechanische) Feldkraft F=e*E (habe ich in meinem vorletzten Beitrag bereits gesagt)

Da e negativ ist, ist die Feldkraft der Feldstärke entgegengerichtet.

Lupoo · Verfasst am: 04. Jul 2011 15:30 Titel:

was ist denn der unterschied zwischen Feldstärke und Feldkraft??

GvC · Verfasst am: 04. Jul 2011 15:24 Titel:

Die Diffusion geht vom n- zum p-Gebiet. Die Feldstärke also auch vom n- zum p-Gebiet. Die Feldkraft auf die Elektronen ist demnach vom p- zum n-Gebiet, also der Diffusionsrichtung entgegen gerichtet.

Lupoo · Verfasst am: 04. Jul 2011 15:15 Titel:

aber wieso denn stoppen? Es geht doch von + nach - also vom n-halbleiter zum p-halbleiter. Dann würde es doch in die Richtung der Diffusionskraft zeigen, oder?

GvC · Verfasst am: 04. Jul 2011 14:56 Titel:

Wieso? Es hat genau die Bedeutung, die Diffusion zu stoppen, sobald die Feldkraft auf die Ladungsträger F=e*E gleich der Diffusionskraft ist.

Lupoo · Verfasst am: 04. Jul 2011 14:07 Titel:

ok danke, aber das elektrische Feld hat keine Bedeutung oder? Warum wird es denn trotzdem immer mit angegeben?

GvC · Verfasst am: 04. Jul 2011 12:44 Titel:

Da die Elektronen negativ geladen sind, wirkt auf sie eine Kraft von Minus nach Plus. So wird die weitere Elektronendiffusion von der positiven in die negative Raumladungszone verhindert.

Lupoo · Verfasst am: 04. Jul 2011 11:19 Titel:

kann mir denn niemand helfen?? Bitte möglichst bald antworten, da ich morgen physik abschlussprüfung schreibe! Ansage

Lupoo

Hallo,
bei den Halbleitern hab ich noch ein paar probleme:
Berühren sich eine n-dotierte und eine p-dotierte Halbleiterschicht, so diffundieren freie Elektronen aus der n-Schicht durch die Grenzfläche in die p-Schicht und rekombinieren mit den Löchern. In dem an die Berührungsschicht angrenzenden Bereich der n-Schicht entsteht eine positive, in dem entsprechenden Bereich der p-Schicht eine negative Raumladung. Das elektrische Feld dieser Raumladungen verhindert das weitere Diffundieren von Elektronen in die p-Schicht. Da der Bereich zu beiden Seiten der Berührungsschicht an Ladungsträgern verarmt ist, ist diese Zone nicht leitend.
Jetzt zu meiner Frage:
Warum verhindert das elektrische Feld das Diffundieren? Das elektrische Feld geht doch von + nach - Dann würde ja das e-Feld die Elektronen noch besser beschleunigen oder? (weil es in die gleiche Richtung wie der Elektronenstrom gerichtet ist)
Wo liegt da mein Denkfehler??
Ist das elektrische Feld in einem Stomkreis (+->-) eigentlich dann so gerichtet das es den Stromfluss hemmt?
Resultierende Driftbewegung der Elektronen = elektrische Kräfte der Spannungsquelle - elektrische Feld. => stimmt das?

Klärt mich bitte mal auf!! (schreibe am Dienstag Physik Abschlussprüfung und möchte bis dahin bitte Antworten bekommen)