 Verfasst am: 22. Jun 2012 22:48 Titel: |
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| Danke erstmal für die Antwort!
Aber könnte es auch sein, dass die laterale Streuung der freien Ladungsträger bei armorphen Silizium geriner ist? Ich stelle es mir so vor: Hebt das Photon die Elektronen ins Leitungsband werden sie zur Unterseite abgeführt. Aber sind diese Elektronen nicht geneigt ihr Potential über den gesamten Halbleiter zu verteilen, nicht nur in den "belichteten" Arealen, in denen Photoleitung auftritt. In diesem Fall würde das trennscharfe Ladungsbild, auf dem später die Tonerpartikel haften an den Rändern verwaschen. Ich glaube, dass durch die stärke Bandkrümmung und Tails des a-Si:H laterale Verteilung besser begrenz wird als im Einkristall. Kann das auch ein Grund sein, oder bin ich auf dem Holzweg? |
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| Verfasst am: 20. Jun 2012 13:26 Titel: |
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| Gut vermutet. Eine monokristalline Beschichtung ist schon auf einem
Plansubstrat nicht ganz einfach. Bei anderen Geometrien wird sie zur echten Herausforderung. |
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| Verfasst am: 19. Jun 2012 15:37 Titel: Funktionsweise Elektrofotographie / Toner |
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| Hallo,
ich wollte mal fragen, warum man bei der Elektrofotographie/Druckern / Kopieren zur Erzeugung des latenten Ladungsbildes eigentlich amorphe Halbleiter (z.B. a-Si:H) nimmt und nicht monokristalline? Ich vermute, es hat einfach nur mit der Fertigung zu tun: sprich man bekommt die Beschichtung der Rolle einfacher hin. Oder gibt es noch einen anderen Grund? Grüße, |
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