 Verfasst am: 27. Jul 2012 09:17 Titel: Ionisierung von Dotieratomen im Halbleiter |
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| Hi,
Voraussetzung: Ich habe eine Probe aus Silizium, das mit Phosphor n-dotiert ist. Bei sehr kleinen Temperaturen sind nicht alle Phosphoratome ionisiert, sondern nur ein Teil. Ionisierungsenergie ist 48meV. Nun wird eine große Platte in die Nähe der Probe gebracht, an die negative Spannung angelegt wird. Das el. Feld dieser Platte soll Phosphoratome ionisieren, also die Elektronen wegdrücken. Frage: Wie berechnet man die Energie des el. Feldes in Abhängigkeit von Abstand r zur Si-Probe und von der Spannung U? Damit will ich berechnen, wie groß die Spannung sein muss, um ionisieren zu können. mfg |
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