| tom.. |
Verfasst am: 19. Feb 2014 15:16 Titel: Sperrspannung Raumladungszone |
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Meine Frage: Hallo ich brauche bitte Hilfe. Gegeben ist eine Si-Diode mit abruptem pn-Übergang. Wie berechnen ich die Raumladungsweite den spannungslosen Fall und für 12V Sperrspannung?
T=300 K, er=12
Meine Ideen: Hier ist ja NA>ND, also ist die Dotierung im n-Gebiet höher: xn>xp
(U_{Bi}-U) } ) für den spannungslosen fall habe ich einfach alle Werte in die Formel eingesetzt und komme auf w=0,52mikrometer für den Fall mit 12 V habe ich etwas negatives in der Wurzel stehen. Wann gilt die Formel? Und angenommen ND wäre kleiner als NA, würde dann gelten xp>xn? |
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