 Verfasst am: 25. Jun 2014 14:57 Titel: |
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Verstehe diesen Thema nicht so richtig, kannst du mir helfen? |
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| Verfasst am: 23. Jun 2014 13:48 Titel: |
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| E = Ef = 0,07eV k * T= 0,025eV
f(E,T) = 1 1 + e (0,07eV / 0,025eV) = 0,057 Die Wahrscheinlichkeit betraet 5,7 % mehr habe ich nicht |
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| Verfasst am: 23. Jun 2014 13:37 Titel: |
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| Die Aufgabe wird ja nicht vom Himmel gefallen sein, ihr werdet ja schon etwas zu Halbleitern, Valenz/Leitungsbaendern und deren Elektronen, Dotierungen, etc gemacht haben... | |
| Verfasst am: 23. Jun 2014 13:34 Titel: |
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| leider nicht :// | |
| Verfasst am: 23. Jun 2014 13:22 Titel: |
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| -> Eigene Ideen? | |
| Verfasst am: 23. Jun 2014 13:15 Titel: Halbleiter |
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| 7. Halbleiterphysik
Ein Elektron in reinem Silizium eine Energie E von E- = 0,07 eV. Wie groß ist die Wahrscheinlichkeit, dass das Elektron das Leitungsband erreicht? (k*T = 0,025eV)? Wie nennt man diese Art der Leitung, die durch die Elektronen entsteht, die das Leitungsband erreichen? (4P) Wie groß ist die Ladungsträgerbeweglichkeit in reinem Silizium (spezifischer Leitwert: 10³ A/Vm, intrinsische Ladungsträgerdichte 1,5 * 10 ^10 )? (2P) Was versteht man unter Dotierung und wozu braucht man sie? (3P) h= 6,626 * 10^-34 Js; c= 3* 10^8 m/s; Masse des Elektrons: m= 9,1 * 10^-31 kg; e= 1,6 * 10^-19C |
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