 Verfasst am: 26. Okt 2014 02:00 Titel: asymmetrische Raumladungszone bei Silizium-Solarzelle |
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| Hi,
Folgendes Problem: Eine Si-Solarzelle mit lichtexponierter n-Schicht wird stärker im n-Gebiet dotiert als im p-Gebiet, damit die Raumladungszone stärker ins p-Gebiet ragt. Das macht man, angeblich, weil die Elektronen eine größere Diffusionslänge haben als Löcher. So ganz verstehe ich das nicht. Kann mir nochmal jemand die genaueren Zusammenhänge erklären? Mir ist nicht ganz klar warum diese Art der Dotierung die Effizienz von Solarzellen steigern soll. |
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