| schnudl |
Verfasst am: 16. Jan 2006 13:23 Titel: |
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Ist schwer in 5 Sätzen rüberzubringen (da würde ich schon 20 Sätze brauchen). Aber der Kern liegt darin, dass ein T drei Anschlüsse hat: Emitter, Kollektor und Basis.
Der Strom durch die Basis entscheidet darüber, wie leitfähig die Strecke zwischen Kollektor und Emitter ist.
Ist die Basis offen (Ib =0) so hat man zwischen Basis und Emitter einen sehr sehr hohen Widerstand.
Lässt man einen Basisstrom fliessen (zB indem man die Basis über einen geeigneten Vorwiderstand mit der Batteriespannung verbindet), so wird die Strecke zwischen Kollektor und Emitter sehr niederohmig - abhängig von der Grösse des Basisstroms.
Genauer:
Sind die Randbedingungen richtig gesetzt, dann ist der Kollektorstrom etwa das B-fache des Basisstroms, wobei B die Gleichstromverstärkung des Transistors ist. Sie ist im Bereich von B=100, d.h. mit kleinen Basisströmen kann man grosse Kollektorströme steuern ("schalten"), oder Verstärker bauen.
Wenn Du wissen musst, wie man einen Transistorschalter dimensioniert, kann ich dir dabei helfen. Ist trivial. Es sprengt aber vielleicht den Scope deiner Frage.
Das war der bipolare Transistor, es gibt aber auch Feldeffekttransistoren (und da noch x-Familien: JFET, MOSFET, Anreicherungs- und Verarmungstypen...), die man über Spannungen statt über Stöme beeinflussen kann. |
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