 Verfasst am: 03. März 2015 19:25 Titel: |
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| Ja, es hat mit der Bandlücke zu tun: Bei Ge braucht es weniger Energie, um ein Elektron vom Valenz- in das Leitungsband zu heben, als bei Si, und das resultiert auch in einer kleineren Spannung in Durchlassrichtung. | |
| Verfasst am: 03. März 2015 18:51 Titel: Diodenkennlinien |
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| Meine Frage: Moin Ich habe eine Frage, und zwar möchte ich gerne wissen warum sich die Diodenkennlinie bei z.b Silizium und Germanium unterscheidet welcher Faktor trägt dazu Bei ? Meine Ideen: Mir wurde erklärt das es was mit den Bandlücken zu tun hat aber ich bin halt auch nur ein Schüler und versteh kein Fachchinesisch. |
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