 Verfasst am: 05. Apr 2015 15:49 Titel: Feldeffekttransistor Frage |
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| Kann mir jemand sagen wieso folgendes gilt:
Spannung die am Gate und Source (U_GS) abfällt ist kleiner als Null -> Sperrschicht wird breiter. Es handelt sich um einen n-Kanal mit p-Halbleiterinseln... Der p-Halbleiter ist ja größtenteils positiv geladen und wenn nun eine negative Spannung an ihm abfällt, müsste doch die Sperrschicht im Feldeffekttransistor schmaller werden, da sich ungleichnamige Ladungen anziehen -> Siehe Prinzip Halbleiterdiode (pn-Übergang).. Wieso passirt das hier nicht analog zur Halbleiterdiode ? |
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