 Verfasst am: 28. Jun 2015 23:33 Titel: Danke ! |
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| Alles klar, vielen Dank für die Antworten! | |
| Verfasst am: 20. Jun 2015 11:20 Titel: |
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| Beim Durchschalten fällt zwischen Kollektor und Emitter immer noch eine Sättigungsspannung ab (sog. U_CE_sat). Die liegt bei bipolaren Siliziumtransistoren üblicherweise bei ca. 200mV. | |
| Verfasst am: 20. Jun 2015 08:57 Titel: Danke ! |
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| Weil es quasi eine Diode ist oder ?
Aber sonst ist mein Ansatz richtig ? Oben vom Collectorausgend befindet sich auch eine Diode oder ? da fallen dann nochmals 0,7 Volt ab.Also UCB (Kollektorbasisspannung) auch = 0,7Volt? Vielen Dank! |
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| Verfasst am: 20. Jun 2015 08:19 Titel: |
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| UBE kannst du als ca. 0.6-0.7V annehmen. | |
| Verfasst am: 19. Jun 2015 22:50 Titel: Aufgabe |
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| Die Aufgabe | |
| Verfasst am: 19. Jun 2015 22:48 Titel: Widerstand an der Basis eines Transistors |
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| Meine Frage:
Hallo liebe Community, die Aufgabe habe ich unten angehängt, zu welcher ich eine Frage hätte. Vielen Dank für eure Hilfe! Beste Grüße Knorke Meine Ideen: In der Aufgabe muss man ja R1 bestimmen. Ich würde wie folgt vorgehen: damit habe ich den Basisstrom gegeben. So und jetzt würde ich nach ohmschen Gesetz Meine Fragen: Ist der Ansatz so richtig? Wie bekomme ich in diesem Falle Danke! |
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