 Verfasst am: 22. Jun 2015 16:52 Titel: |
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| Siehe z.B. hier (insbesondere Seite 12):
https://www.eng.tau.ac.il/~yosish/courses/vlsi1/I-3-Characteristics-of-Si.pdf |
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| Verfasst am: 22. Jun 2015 16:40 Titel: dotierte Halbleiter |
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| Meine Frage: Ein Zylinder aus Silizium ist in der oberen Hälfte mit Phosphor mit einer Konzentration von 10^18cm-3 dotiert, in der unteren Hälfte mit Bor mit einer Konzentration von 5*10^16cm-3. Er besitzt die Abmessungen von d=6mm und h=20mm. a) Berechnen Sie den ohmschen Widerstand R1 zwischen den Flächen A und B sowie R2 zwischen den Flächen B und C! (Die thermische Energie kT ist groß gegenüber der Aktivierungs-energie der Dotanden! ) (https://www.tu-ilmenau.de/fileadmin/media/mne_nano/Lehre/Vorlesung/Elektronik/Probeklausur_Grundlagen_der_Elektronik.pdf)- Grafik aus Aufgabe 2. b) Welche bewegliche Ladungsträger und ionisierte Dotanden gibt es im n-Gebiet, welche im p-Gebiet? Geben Sie deren Konzentrationen an! c) Zwischen den Flächen A und C wird eine Spannung von 1.2 V angelegt. Davon fällt eine Spannung von 0.6 V über dem pn-Übergang ab. Welche Geschwindigkeiten besitzen die Majoritätsladungsträger im p- und im n-Gebiet? Meine Ideen: Für a hab ich die Gleichung R=rho*l/A gefunden, weiß aber nicht genau, wie ich damit umgehen soll. Ich habe aber generell keine Ahnung, wie ich an die Aufgabe rangehen soll und wäre dankbar, wenn mir jemand einen Ansatz geben könnte. |
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