 Verfasst am: 12. Apr 2017 08:19 Titel: Zustandsdichten in Doppelheterostruktur-Halbleiterlasern |
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| Meine Frage: Hey, Ich bin während meiner Vorbereitung auf meine Prüfung auf etwas gestoßen, was mir nicht so ganz in den Sinn will. Meine Ideen: Bei der Konstruktion eines Doppelheterostruktur-Halbleiterlasers versucht man, so wie ich gelesen habe, die aktive Schicht möglichst dünn zu halten. Der Grund ist, dass nach Fermis goldener Regel, die Übergangswahrscheinlichkeit proportional zu der Zustandsdichte im Zielniveau ist. Durch die Konstruktion einer sehr dünnen Schicht wird versucht, eine zwei dimensionale aktive Schicht zu bekommen. Diese unterscheidet sich von der im dreidimensionalen indem sie statt proportional zu der Wurzel der Energie zu sein konstant ist. Meine Frage ist jetzt, warum ist das besser? Ich hoffe, ich konnte mich irgendwie verständlich ausdrücken, Vielen Dank schonmal, Hugolog |
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