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| Steffen Bühler |
Verfasst am: 13. Jun 2017 10:20 Titel: |
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Stimmt, da war ich zu blöd, meinen Taschenrechner zu bedienen.  |
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| GvC |
Verfasst am: 13. Jun 2017 10:13 Titel: |
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| Steffen Bühler hat Folgendes geschrieben: | | Du hast, von den Einheiten abgesehen, den Faktor 10% vergesssen. |
Nee, hat er nicht. Er hat ihn nur nicht aufgeschrieben, im Endergebnis ist er aber enthalten. |
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| Steffen Bühler |
Verfasst am: 13. Jun 2017 10:04 Titel: |
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| Du hast, von den Einheiten abgesehen, den Faktor 10% vergesssen. Und das ist dann natürlich nicht der Drain-Source-Bahnwiderstand, der ist kleiner. |
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| smitz |
Verfasst am: 12. Jun 2017 21:01 Titel: |
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Stimmt , es sollte natürlich 10^-15F dort stehen.
Ich habe jetzt mal folgendes versucht:
aber 33,3 kiloOhm kommt mir nicht richtig vor |
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| Steffen Bühler |
Verfasst am: 12. Jun 2017 09:25 Titel: Re: Widerstand des Transistors |
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| smitz hat Folgendes geschrieben: | | Die Kapazität des Gates eines aktuellen CPU-Transistors liegt in der Größenordnung 10-15 F. |
Mit Sicherheit nicht.
| smitz hat Folgendes geschrieben: | | Dazu fordern wir, dass die Gatekapazität in 10% der Taktzeit auf 1/e entladen wird. |
Das nennt man auch Zeitkonstante. Kommst Du jetzt weiter?
Viele Grüße
Steffen |
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| smitz |
Verfasst am: 11. Jun 2017 21:11 Titel: Widerstand des Transistors |
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Meine Frage: Guten Abend, vielleicht kann mir ja hier jemand weiter helfen ich habe leider keinen Ansatz um zu einer sinnvollen Lösung zu kommen. Ich würde mich über jeden tipp freuen ^^ Die Kapazität des Gates eines aktuellen CPU-Transistors liegt in der Größenordnung 10-15 F. Die Betriebsspannung sei 1 V, die Taktrate 3 GHz. Natürlich liegen hier CMOS Bauelemente vor.
Schätze den maximalen Widerstand des Transistors im leitenden Zustand ab. Dazu fordern wir, dass die Gatekapazität in 10% der Taktzeit auf 1/e entladen wird.
Meine Ideen: Ich habe leider keine Idee die auch nur im entferntesten zur Lösung frühen würde |
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