Feldeffekttransistor

henry00 · Anmeldungsdatum: 11.10.2010 Beiträge: 39

Hallo zusammen
Habe ein Verständlichkeitsproblem zum Feldeffekttransistor, wie zB
MOSFET.

Nehmen wir mal an, ich habe einen npn Transistor, also Source und Drain
sind n dotiert, der Halbleiter dazwischen ist p dotiert. Nun heisst es ja,
dass bei einer positiven Gatespannung die beweglichen Ladungsträger
(also löcher) im p-Material nach unten gedrück werden, und zwischen
source und drain ein n-channel entsteht, wo nun Elektronen fliessen
können.
Ich frage mich, wie dieser Elektronenfluss genau erzeugt wird. Denn,
wenn die Löcher nach unten wandern, ist der obere bereich des
p-halbleiters zwar negativ geladen, aber nur wegen den negativ
geladenen atomrümpfen, welche fest im Gitter sitzen, und nicht wegen
allfällig beweglichen Elektronen.
Woher kommen also die plötzlich die beweglichen Elektronen, welchen
den Stromfluss ermöglichen? Oder ist es so, dass weil im oberen bereich
einfach alle Löcher (oder viele) verschwunden sind, die elektronen direkt
von der Source passieren können, weil sie nicht mehr mit Löchern
rekombinieren, und deshalb die bindungsenergie viel schwächer ist?

ich hoffe jemand kann mir da helfen...
besten dank