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Einbruchschutz durch Stolperdrath
 
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Tirebolu28



Anmeldungsdatum: 09.10.2011
Beiträge: 27

Beitrag Tirebolu28 Verfasst am: 26. Feb 2012 15:05    Titel: Einbruchschutz durch Stolperdrath Antworten mit Zitat

Ich habe eine Frage ich wollte ein Versuchsergebniss schreiben undzwar was der Transistor genau tut .. Aber ich weiß nicht, wie ich das beschreiben soll..

Der Transistor ist ja erst in Sperrrichtung und dann in Durchlassrichtung stimmts?
GvC



Anmeldungsdatum: 07.05.2009
Beiträge: 14861

Beitrag GvC Verfasst am: 26. Feb 2012 15:50    Titel: Antworten mit Zitat

Hä? Was hat denn das mit Einbruchschutz und Stolperdraht zu tun?
Tirebolu28



Anmeldungsdatum: 09.10.2011
Beiträge: 27

Beitrag Tirebolu28 Verfasst am: 26. Feb 2012 15:59    Titel: Antworten mit Zitat

Ich habe ein Versuch aufgebaut. Sowas : http://www.kantisursee.ch/ProfilNWT/30%20Unterricht/3%20Elektrik%20Elektronik/Elektronik.pdf

Auf Seite 5 kann man das sehen. So und jetzt soll ich erklären, was der Transistor macht..
Tirebolu28



Anmeldungsdatum: 09.10.2011
Beiträge: 27

Beitrag Tirebolu28 Verfasst am: 26. Feb 2012 16:01    Titel: Antworten mit Zitat

Meine Frage ist liegt die gesamte Spannung zwischen Emitter und Kollektor am Anfang , da kein Strom fließt und der Transistor in Sperrrichtung ist.

Und nacher liegt die gesamte Spannung zwischen Basis und Emitter, wobei dann Strom fließt (Durchlassrichtung) ?


Die Durchlassrichtung entsteht dadruch, dass ich die Verbindungskabel ( Was die Rolle der Stolperdrähte einehmen soll) getrennt werden ?

Somit steigt ja der Widerstand von Null auf Unendlich... ?
Leonardo vom Winde



Anmeldungsdatum: 24.02.2011
Beiträge: 237
Wohnort: Dritter Planet

Beitrag Leonardo vom Winde Verfasst am: 26. Feb 2012 18:51    Titel: Antworten mit Zitat

Hi,
Zitat:

Der Widerstandswert steigt auf (theoretisch) Unendlich. Die gesamte Spannung liegt am unteren Teil des Spannungsteilers zwischen Basis und Emitter, wodurch der Transistor durchgeschaltet wird und der Summer Alarm gibt

diese Aussage ist missverständlich. Die Basis-Emitterspannung Vbe liegt bei Siliziumtransistoren bei ca. 0,7V, bei 8V wäre der Transistor kaputt. Transistoren sind stromgesteuerte Schalter, die Widerstände 10k und 1k bestimmen den Basisstrom.
Grüße Leo



Vbe-Ib.gif
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Ich weiß genau was Raum und Zeit ist, aber wenn ich es erklären soll weiß ich es nicht mehr
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