Besetzung Leitungs/Valenzband in Halbleiter

Webo · Anmeldungsdatum: 07.02.2012 Beiträge: 3

Hallo, ich habe ein Verständnisproblem bei der Berechnung der Besetzung des Leitungs- bzw Valenzbandes in einem Halbleiter (in diesem Fall Silizium).

Gegeben:

Nun soll die Besetzung des Leitungsbandes von Silizium berechnet werden, wenn die Fermienergie
- an der Valenzbandkante
- Mitte Bandgap
- Leitungsbandkante liegt

Soweit so gut,

hab ich mir

genommen und wollte einsetzen.

Nach meinem Verständnis hätte ich jetzt für die verschiedenen Bereiche genommen:

- Fermieenergie an Valenzbank = 1,18eV
- Fermieenergie in der Mitte = 1,18eV / 2 = 0,59
- Fermieenergie an Leitungsband = 0eV

In der Formel in der Lösung zu dieser Aufgabe ist allerdings -1,18, bzw -0,59 angegeben

Wie ich da mit

draufkommen soll ist genau meine Frage - denn das Verständnis bräuchte ich auch noch für die Besetzung am Valenzbank, wo da in der Formel

steht!

Ich würde mich riesig freuen, wenn mir da jemand helfen könnte.

Webo · Anmeldungsdatum: 07.02.2012 Beiträge: 3

Ah, ich glaube ich bin selbst ein wenig weiter gekommen ...

Die Formel hatten wir auch in Variaton mit

wobei das dann ja

ist.

Trotzdem bin ich bei der Formel für die Löcher noch ratlos.