Steifigkeitsmatix von Silizium

Matl · Anmeldungsdatum: 28.05.2013 Beiträge: 1

Meine Frage:
Hallo,

ich muss eine 3D-Stress-Simulation an Silizium durchführen bei der ich die Steifigkeitsmatrix eingeben muss. Dabei handelt sich es um einen Silizium-Wafer dessen Kristallorientierung in der (111)-Ebene liegt (Oberfläche des Wafers). Ich habe in der Literatur die Steifigkeitsmatix C für die [100]-Richung gefunden.
Diese Lautet:

.
Die [100] Richtung entspricht bei mir der x-Achse. Jetzt frage ich mich wie ich die Steifigkeitsmatrix drehen soll, bzw. wie die Rotationsmatrix aussehn müsste, damit die Steifigkeitsmatrix mit meiner [111]-Richung zusammenpasst? Zudem würde ich gerne wissen, wie ich mir aus der gedrehten Matrix das E-Modul in den einzelnen Kristallrichtungen ([100],[010],[001] und [111]) berechnen kann? Für eine Berechnung, steht mir beispielsweise Maple oder Matlab zur verfügung. Das Simulationsprogramm lautet ESI-CFD-ACE, falls sich jemand damit auskennen sollte.

Meine Ideen:
Als Anhaltspunkt habe ich hier was gefunden, aber daraus werd ich bezüglich meinem Problem nicht recht viel schlauer.
http://www.kaajakari.net/~ville/research/tutorials/elasticity_tutorial.pdf
Auf der Seite: http://solidmechanics.org/text/Chapter3_2/Chapter3_2.htm
hab ich eine Rotationsmatrix gefunden, aber wenn ich versuche aus der gedrehten Matrix (z.B. 45° drehung um z-Achse -> [110]) das E-Modul in dieser Richtung zu berechnen, dann stimmen die berechnenten Werte nicht mit der Literatur überein.
Habe ich den falschen Ansatz?

Ich würd mich sehr über eine Hilfe freuen (bitte kein Wiki link).

Gruß

Matl