Halbleiter, Eigenleitung, Leitfähigkeit

daniel190490 · Anmeldungsdatum: 12.01.2011 Beiträge: 89

Hallo,

habe ein paar Fragen, bei denen ich mir nicht sicher bin bzw. erst keine Antwort weis:

1) Erklären Sie den Atomaufbau des Si-Atomgitters aufgrund der chemisch/physikalischen Eigenschaften der Si-Atome.

Ich weis nur, dass bei Si eine kovalente Bindung (Elektronenpaarbindung) stattfindet.

2) Si hat eine Gitterkonstante von 5.5 Angström (0,55nm). Welchen Abstand haben benachbarte Si-Atome in (100)-Richtung?

Sollte doch auch 5,5 A sein, da die Gitterkonstante das beschreibt, oder?
Die Gitterkonstante beschreibt ja die Seitenlänge.

3) Welche Bedeutung hat die Intrinsic-Dichte (Eigenleitungsdichte) für die Leitfähigkeit eines Halbleiters in einem Bauelement?

Je höher die Temperatur, desto mehr frei werdende Elektronen.
Also je höher die Eigenleitungsdichte (Intrinsic-Dichte), desto besserer Leiter?

4) Warum ist der spez. Widerstand bei gleicher Dotierstoffkonzentration mit Bor größer als bei Phosphor?

Kann ich mir nicht erklären. Dachte erst es liegt am Radius oder am Atomgewicht. Aber kann irgendwie nicht sein, weils genau umgekehrt ist.
Aber an was liegt es dann?

5) Wie unterscheidet sich die Leitfähigkeit in Poly-Si vom Wert für einkristallines Si bei gleicher Dotierung? Erklären Sie den Unterschied!

Beim Einkristall keine Korngrenzen vorhanden. Also können die Elektronen bzw. die Löcher besser wandern. Also bessere Leitfähigkeit als im Poly-Kristall.
Stimmt das?

daniel190490 · Anmeldungsdatum: 12.01.2011 Beiträge: 89

Hilft mir keiner?