dotierte Halbleiter

user19091909 · Anmeldungsdatum: 26.04.2015 Beiträge: 2

Meine Frage:
Ein Zylinder aus Silizium ist in der oberen Hälfte mit Phosphor mit einer Konzentration von 10^18cm-3 dotiert, in der unteren Hälfte mit Bor mit einer Konzentration von 5*10^16cm-3. Er besitzt die Abmessungen von d=6mm und h=20mm.
a) Berechnen Sie den ohmschen Widerstand R1 zwischen den Flächen A und B sowie R2
zwischen den Flächen B und C! (Die thermische Energie kT ist groß gegenüber der Aktivierungs-energie der Dotanden! ) (https://www.tu-ilmenau.de/fileadmin/media/mne_nano/Lehre/Vorlesung/Elektronik/Probeklausur_Grundlagen_der_Elektronik.pdf)- Grafik aus Aufgabe 2.
b) Welche bewegliche Ladungsträger und ionisierte Dotanden gibt es im n-Gebiet, welche im p-Gebiet? Geben Sie deren Konzentrationen an!
c) Zwischen den Flächen A und C wird eine Spannung von 1.2 V angelegt. Davon fällt eine Spannung von 0.6 V über dem pn-Übergang ab. Welche Geschwindigkeiten besitzen die Majoritätsladungsträger im p- und im n-Gebiet?

Meine Ideen:
Für a hab ich die Gleichung R=rho*l/A gefunden, weiß aber nicht genau, wie ich damit umgehen soll.

Ich habe aber generell keine Ahnung, wie ich an die Aufgabe rangehen soll und wäre dankbar, wenn mir jemand einen Ansatz geben könnte.

jh8979 · Moderator Anmeldungsdatum: 10.07.2012 Beiträge: 8763

Siehe z.B. hier (insbesondere Seite 12):
https://www.eng.tau.ac.il/~yosish/courses/vlsi1/I-3-Characteristics-of-Si.pdf