Dotierung mit Donator und Akzeptator gleichzeitig

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ThermodynamischesGleichge

Anmeldungsdatum: 22.07.2014
Beiträge: 1

ThermodynamischesGleichge Verfasst am: 22. Jul 2014 13:10 Titel: Dotierung mit Donator und Akzeptator gleichzeitig

Meine Frage: Wenn ich ein intrinsischen Si-Chip sowohl mit Donatoren (Phosphor) als auch mit Akzeptatoren (Bor) dotiere, was passiert dann? Es wird davon augegangen, dass die Donatorendichte höher ist. Meine Ideen: Ich habe 2 Quellen, die erste sagt mir aus, dass dann alleine die höhere Dotierung vorliegt. Das heisst wenn die Donatordichte höher ist, gilt in dem Chip: n = N_D und p = (ni²)/N_A Die andere Quelle meint, dass ich dann mit der Differenz zwischen Donatoren und Akzeptatoren rechnen muss. Also n = (N_D - N_A) und p = (ni²)/(N_D - N_A) Was stimmt nun?

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