Raumladungsdichte eines pn-Übergangs

Claudini95 · Anmeldungsdatum: 31.05.2015 Beiträge: 126

Guten Tag liebe Physiker und Physikerinnen,

ich habe eine Schichtstruktur eines bipolaren Leistungstransistors und kann mir nicht ganz den Verlauf der Raumladungsdichte über den Weg herleiten.

Gefragt ist nach dem qualitativen Verlauf der Raumladungsdichte über den Weg x zwischen Kollektor und Emitter. Also genau der Raumladungsdichteverlauf über die angegebene Schichtstruktur.

Ich weiß, dass wenn man ein p-dotiertes Material und ein n-dotiertes Material kontaktiert entsprechend durch Anlegen einer äußeren Spannung die Raumladungszone je nach Polarität der Spannung größer bzw. kleiner wird.

An den Grenzen, wo die Halbleiter kontaktiert werden müssen sich ja die Ladungen ansammeln und ggf. je nach Anordnung diffundieren.

Verstanden habe ich jedoch den ganzen Prozess noch nicht z.B. wieso gerade diese Raumladungsdichte sich anhand der Schichtstruktur ergibt und wieso gerade an Kollektor und an Emitter die Raumladungsdichte komplett verschwindet?

Weiß da vielleicht jemand weiter?

Würde mich unheimlich über eine Antwort freuen,

Grüße

Claudia